Vistoli, Lorenzo
(2015)
Charge and spin transport in memristive La0.7Sr0.3Mno3/SrTiO3/Co devices.
[Laurea magistrale], Università di Bologna, Corso di Studio in
Fisica [LM-DM270]
Documenti full-text disponibili:
Abstract
Il lavoro svolto si concentra sul trasporto di carica e spin in dispositivi trilayer
La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/Co multifunzionali. Questi dispositivi mostrano sia magnetoresistenza
che resistive switching, con un'interessante interazione fra i due effetti. Le
giunzioni SrTiO3 sono state scelte per questo lavoro sia per via dei precedenti studi
su SrTiO3 come barriera in dispositivi spintronici (cioè dispositivi con magnetoresistenza),
sia perché sono promettenti come materiale base per costruire memristor
(cioè dispositivi con resistive switching). Il lavoro di tesi è stato svolto all'Istituto per
lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN-CNR) a Bologna.
Nella prima parte di questa tesi illustrerò la fisica dietro al resistive switching e alla
magnetoresistenza di dispositivi trilayer, mostrando anche risultati di studi su dispositivi
simili a quelli da me studiati. Nella seconda parte mostrerò la complessa fisica
degli ossidi utilizzati nei nostri dispositivi e i possibili meccanismi di trasporto attraverso
essi.
Nell'ultima parte descriverò i risultati ottenuti. I dispositivi La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/Co
sono stati studiati tramite caratterizzazione elettrica, di magnetotrasporto e con spettroscopia
di impedenza. Le misure ottenute hanno mostrato una fisica molto ricca
dietro al trasporto di spin e carica in questi dispositivi, e la mutua interazione fra
fenomeni spintronici e di resistive switching rappresenta una chiave per comprendere
la fisica di questi fenomeni. Analisi dati della dipendenza della resistenza della temperature
e caratteristiche corrente-tensioni saranno usati per quantificare e descrivere
il trasporto in questi dispositivi.
Abstract
Il lavoro svolto si concentra sul trasporto di carica e spin in dispositivi trilayer
La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/Co multifunzionali. Questi dispositivi mostrano sia magnetoresistenza
che resistive switching, con un'interessante interazione fra i due effetti. Le
giunzioni SrTiO3 sono state scelte per questo lavoro sia per via dei precedenti studi
su SrTiO3 come barriera in dispositivi spintronici (cioè dispositivi con magnetoresistenza),
sia perché sono promettenti come materiale base per costruire memristor
(cioè dispositivi con resistive switching). Il lavoro di tesi è stato svolto all'Istituto per
lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN-CNR) a Bologna.
Nella prima parte di questa tesi illustrerò la fisica dietro al resistive switching e alla
magnetoresistenza di dispositivi trilayer, mostrando anche risultati di studi su dispositivi
simili a quelli da me studiati. Nella seconda parte mostrerò la complessa fisica
degli ossidi utilizzati nei nostri dispositivi e i possibili meccanismi di trasporto attraverso
essi.
Nell'ultima parte descriverò i risultati ottenuti. I dispositivi La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/Co
sono stati studiati tramite caratterizzazione elettrica, di magnetotrasporto e con spettroscopia
di impedenza. Le misure ottenute hanno mostrato una fisica molto ricca
dietro al trasporto di spin e carica in questi dispositivi, e la mutua interazione fra
fenomeni spintronici e di resistive switching rappresenta una chiave per comprendere
la fisica di questi fenomeni. Analisi dati della dipendenza della resistenza della temperature
e caratteristiche corrente-tensioni saranno usati per quantificare e descrivere
il trasporto in questi dispositivi.
Tipologia del documento
Tesi di laurea
(Laurea magistrale)
Autore della tesi
Vistoli, Lorenzo
Relatore della tesi
Correlatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Indirizzo
Curriculum C: Fisica della materia
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
spintronica, spin valve, memristor, ossidi, manganite
Data di discussione della Tesi
23 Ottobre 2015
URI
Altri metadati
Tipologia del documento
Tesi di laurea
(NON SPECIFICATO)
Autore della tesi
Vistoli, Lorenzo
Relatore della tesi
Correlatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Indirizzo
Curriculum C: Fisica della materia
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
spintronica, spin valve, memristor, ossidi, manganite
Data di discussione della Tesi
23 Ottobre 2015
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