Bollan, Nicole Edmea
(2013)
Studio di livelli profondi in nanofili di silicio.
[Laurea], Università di Bologna, Corso di Studio in
Fisica [L-DM270]
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Abstract
Si riassumono le principali proprietà e applicazioni di dispositivi basati su nanofili. Si descrivono le tecniche utilizzate in laboratorio per analizzare livelli profondi in nanofili di Silicio con particolare attenzione ai concetti teorici alla base di questi metodi.
Abstract
Si riassumono le principali proprietà e applicazioni di dispositivi basati su nanofili. Si descrivono le tecniche utilizzate in laboratorio per analizzare livelli profondi in nanofili di Silicio con particolare attenzione ai concetti teorici alla base di questi metodi.
Tipologia del documento
Tesi di laurea
(Laurea)
Autore della tesi
Bollan, Nicole Edmea
Relatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
Nanofili silicio livelli profondi DLTS
Data di discussione della Tesi
13 Dicembre 2013
URI
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Tipologia del documento
Tesi di laurea
(NON SPECIFICATO)
Autore della tesi
Bollan, Nicole Edmea
Relatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
Nanofili silicio livelli profondi DLTS
Data di discussione della Tesi
13 Dicembre 2013
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