Studio di livelli profondi in nanofili di silicio

Bollan, Nicole Edmea (2013) Studio di livelli profondi in nanofili di silicio. [Laurea], Università di Bologna, Corso di Studio in Fisica [L-DM270]
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Abstract

Si riassumono le principali proprietà e applicazioni di dispositivi basati su nanofili. Si descrivono le tecniche utilizzate in laboratorio per analizzare livelli profondi in nanofili di Silicio con particolare attenzione ai concetti teorici alla base di questi metodi.

Abstract
Tipologia del documento
Tesi di laurea (Laurea)
Autore della tesi
Bollan, Nicole Edmea
Relatore della tesi
Cavallini, Anna
Scuola
Scienze
Corso di studio
Fisica [L-DM270]
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
Nanofili silicio livelli profondi DLTS
Data di discussione della Tesi
13 Dicembre 2013
URI
https://amslaurea.unibo.it/id/eprint/6264

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