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Abstract
In questo elaborato viene presentata una panoramica generale riguardante le memorie a semiconduttore. Tra queste, ci si concentrerà sulla tipologia non-volatile Single-Poly Floating Gate (SPFG), una tecnologia di memoria a basso costo compatibile con il processo standard CMOS, senza necessità di step o maschere aggiuntive. La facilità di integrazione a basso costo, tuttavia, si scontra con la ridotta densità di bit di informazione che la memoria può contenere: risulta vantaggiosa per tagli di memoria piccoli, nell'ordine dei KB, trovando largo impiego all'interno di sistemi embedded e di System-On-Chip (SoC). Questo elaborato è stato sviluppato nell'ambito di un tirocinio per tesi svolto all'interno dell'azienda STMicroelectronics presso il team di design di memorie non-volatili e si suddivide in due parti.
La prima riguarda l'analisi e la replica in laboratorio del flusso EWS (Electrical Wafer Sort) di un test-chip di memoria da 4096KB realizzato in tecnologia BCD8sP. Questa procedura viene eseguita su ogni memoria prodotta prima di essere venduta ed è necessaria per discriminare i dispositivi funzionanti da quelli danneggiati. Per garantire un'elevata produttività, questa fase deve riuscire ad analizzare il maggior numero di pezzi nel minor tempo possibile: per questo motivo non sempre è possibile effettuare delle analisi accurate su ogni dispositivo. Durante il tirocinio, al contrario, è stata fatta un'analisi approfondita su un insieme limitato di dispositivi in maniera tale da estrapolare un maggior numero di informazioni utili al miglioramento della memoria e del flusso EWS stesso.
La seconda parte riguarda la caratterizzazione in laboratorio della memoria e la validazione rispetto alle simulazioni CAD. Questa fase è importante per garantire che il dispositivo si comporti in maniera simile a quando è stata progettata, rispetto a diversi corner di processo, range di temperature e di alimentazione.
Abstract
In questo elaborato viene presentata una panoramica generale riguardante le memorie a semiconduttore. Tra queste, ci si concentrerà sulla tipologia non-volatile Single-Poly Floating Gate (SPFG), una tecnologia di memoria a basso costo compatibile con il processo standard CMOS, senza necessità di step o maschere aggiuntive. La facilità di integrazione a basso costo, tuttavia, si scontra con la ridotta densità di bit di informazione che la memoria può contenere: risulta vantaggiosa per tagli di memoria piccoli, nell'ordine dei KB, trovando largo impiego all'interno di sistemi embedded e di System-On-Chip (SoC). Questo elaborato è stato sviluppato nell'ambito di un tirocinio per tesi svolto all'interno dell'azienda STMicroelectronics presso il team di design di memorie non-volatili e si suddivide in due parti.
La prima riguarda l'analisi e la replica in laboratorio del flusso EWS (Electrical Wafer Sort) di un test-chip di memoria da 4096KB realizzato in tecnologia BCD8sP. Questa procedura viene eseguita su ogni memoria prodotta prima di essere venduta ed è necessaria per discriminare i dispositivi funzionanti da quelli danneggiati. Per garantire un'elevata produttività, questa fase deve riuscire ad analizzare il maggior numero di pezzi nel minor tempo possibile: per questo motivo non sempre è possibile effettuare delle analisi accurate su ogni dispositivo. Durante il tirocinio, al contrario, è stata fatta un'analisi approfondita su un insieme limitato di dispositivi in maniera tale da estrapolare un maggior numero di informazioni utili al miglioramento della memoria e del flusso EWS stesso.
La seconda parte riguarda la caratterizzazione in laboratorio della memoria e la validazione rispetto alle simulazioni CAD. Questa fase è importante per garantire che il dispositivo si comporti in maniera simile a quando è stata progettata, rispetto a diversi corner di processo, range di temperature e di alimentazione.
Tipologia del documento
Tesi di laurea
(Laurea magistrale)
Autore della tesi
Chiappalone, Mattia
Relatore della tesi
Correlatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
Single-Poly,Floating,Gate,(SPFG),Integrated,Circuit,Memory,CMOS,Silicon,Design,Validation,BCD
Data di discussione della Tesi
13 Marzo 2025
URI
Altri metadati
Tipologia del documento
Tesi di laurea
(NON SPECIFICATO)
Autore della tesi
Chiappalone, Mattia
Relatore della tesi
Correlatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
Single-Poly,Floating,Gate,(SPFG),Integrated,Circuit,Memory,CMOS,Silicon,Design,Validation,BCD
Data di discussione della Tesi
13 Marzo 2025
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