Studio ab initio delle proprietà dinamiche di reticolo di semiconduttori

Lo studio delle proprietà dinamiche dei materiali solidi, in particolare dei semiconduttori, ha acquisito dalla seconda metà del novecento un’importanza crescente sia in ambito scientifico che tecnologico. Questa tesi si concentra sull’analisi a primi principi delle proprietà elettroniche e fononiche di semiconduttori selezionati, utilizzando la Density Functional Theory (DFT). I semiconduttori studiati includono materiali con strutture cristalline di tipo diamante o zincoblenda, come carbonio (C), silicio (Si), germanio (Ge) e arseniuro di gallio (GaAs). L’approccio teorico e computazionale impiegato, basato su metodi implementati nel Vienna Ab initio Simulation Package (VASP), ha permesso di esplorare accuratamente la struttura elettronica a bande e le proprietà fononiche di questi materiali. I risultati ottenuti mostrano un buon accordo con i dati sperimentali disponibili, confermando l’efficacia dei modelli teorici utilizzati.