Studio di semiconduttori mesoporosi

Borsari, Alessandro (2014) Studio di semiconduttori mesoporosi. [Laurea], Università di Bologna, Corso di Studio in Fisica [L-DM270]
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Abstract

I semiconduttori porosi in passato erano considerati dannosi per l'industria microelettronica: solo negli ultimi decenni è stato scoperto che essi posseggono particolari proprietà che li differenziano fortemente dai rispettivi semiconduttori integri, pertanto questa categoria di materiali oggi rappresenta un nuovo settore di ricerca. In questo lavoro di tesi si discutono: la classificazione, la geometria e la morfologia delle strutture porose; la tecnica di "etching" elettrochimico impiegata per realizzare i pori nei semiconduttori; i modelli e i meccanismi di formazione dei pori; la tecnica di spettroscopia elettrochimica FFT-IS("Fast Fourier Transform Impedance Spectroscopy") utile nell'analisi in tempo reale della formazione dei pori; le possibili applicazioni di questi materiali.

Abstract
Tipologia del documento
Tesi di laurea (Laurea)
Autore della tesi
Borsari, Alessandro
Relatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
semiconduttori porosi semiconduttori mesoporosi etching elettrochimico
Data di discussione della Tesi
31 Ottobre 2014
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