Silicon oxide nitride (sion) films per applicazioni fotovoltaiche

Carroli, Marco (2013) Silicon oxide nitride (sion) films per applicazioni fotovoltaiche. [Laurea], Università di Bologna, Corso di Studio in Fisica [L-DM270], Documento ad accesso riservato.
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Abstract

La ricerca, negli ultimi anni, si è concentrata sullo studio di materiali con energy gap più ampio del silicio amorfo a-Si per ridurre gli assorbimenti parassiti all'interno di celle fotovoltaiche ad eterogiunzione. In questo ambito, presso l'Università di Costanza, sono stati depositati layers di silicon oxynitride amorfo a-SiOxNy. Le promettenti aspettative di questo materiale legate all'elevato optical gap, superiore ai 2.0 eV, sono tuttavia ridimensionate dai problemi intrinseci alla struttura amorfa. Infatti la presenza di una grande quantit a di difetti limita fortemente la conducibilita e aumenta gli effetti di degradazione legati alla luce. In quest'ottica, nella presente tesi, sono stati riportati i risultati di analisi spettroscopiche eseguite presso il Dipartimento di Fisica e Astronomia di Bologna su campioni di silicon oxynitride nanocristallino nc-SiOxNy, analisi che hanno lo scopo di osservare come la struttura nanocristallina influisca sulle principali proprieta ottiche e sulla loro dipendenza da alcuni parametri di deposizione.

Abstract
Tipologia del documento
Tesi di laurea (Laurea)
Autore della tesi
Carroli, Marco
Relatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
silicio nanocristallino, fotovoltaico
Data di discussione della Tesi
25 Ottobre 2013
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