Confinamento quantico nei Modulation-doped field-effect transistors

Cesarini, Olivia (2018) Confinamento quantico nei Modulation-doped field-effect transistors. [Laurea], Università di Bologna, Corso di Studio in Fisica [L-DM270]
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Abstract

Si è voluto studiare il concetto di confinamento quantico, concentrandosi in particolare sul Quantum well e sulla sua applicabilità nell'elettronica. Si è quindi approfondito il funzionamento del MODFET, il quale sfrutta un gas di elettroni bidimensionale, e quindi un Quantum well, come canale di conduzione, e si sono viste anche le tecniche di fabbricazione, in particolare l'MBE, di questi dispositivi. Ciò che distingue questi transistor da quelli tradizionali è l'alta mobilità, raggiunta grazie alla netta separazione delle cariche dai donatori (drogaggio modulato) poichè si evita lo scattering Coulombiano che rallenta le cariche. É stato recentemente scoperto che il MODFET opera oltre che come interruttore, più veloce dei MOSFET tradizionali, anche come rivelatore di onde Terahertz.

Abstract
Tipologia del documento
Tesi di laurea (Laurea)
Autore della tesi
Cesarini, Olivia
Relatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
Confinamento quantico,Quantum well,Quantum wire,Quantum dot,MODFET,MBE
Data di discussione della Tesi
7 Dicembre 2018
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