Manufacturing and characterization of amorphous silicon alloys passivation layers for silicon hetero-junction solar cells

Palaferri, Daniele (2013) Manufacturing and characterization of amorphous silicon alloys passivation layers for silicon hetero-junction solar cells. [Laurea magistrale], Università di Bologna, Corso di Studio in Fisica [LM-DM270]
Documenti full-text disponibili:
[img]
Anteprima
Documento PDF
Download (16MB) | Anteprima

Abstract

Nel presente lavoro di tesi magistrale sono stati depositati e caratterizzati film sottili (circa 10 nm) di silicio amorfo idrogenato (a-Si:H), studiando in particolare leghe a basso contenuto di ossigeno e carbonio. Tali layer andranno ad essere implementati come strati di passivazione per wafer di Si monocristallino in celle solari ad eterogiunzione HIT (heterojunctions with intrinsic thin layer), con le quali recentemente è stato raggiunto il record di efficienza pari a 24.7% . La deposizione è avvenuta mediante PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition). Tecniche di spettroscopia ottica, come FT-IR (Fourier transform infrared spectroscopy) e SE (spettroscopic ellipsometry) sono state utilizzate per analizzare le configurazioni di legami eteronucleari (Si-H, Si-O, Si-C) e le proprietà strutturali dei film sottili: un nuovo metodo è stato implementato per calcolare i contenuti atomici di H, O e C da misure ottiche. In tal modo è stato possibile osservare come una bassa incorporazione (< 10%) di ossigeno e carbonio sia sufficiente ad aumentare la porosità ed il grado di disordine a lungo raggio del materiale: relativamente a quest’ultimo aspetto, è stata sviluppata una nuova tecnica per determinare dagli spettri ellisometrici l’energia di Urbach, che esprime la coda esponenziale interna al gap in semiconduttori amorfi e fornisce una stima degli stati elettronici in presenza di disordine reticolare. Nella seconda parte della tesi sono stati sviluppati esperimenti di annealing isocrono, in modo da studiare i processi di cristallizzazione e di effusione dell’idrogeno, correlandoli con la degradazione delle proprietà optoelettroniche. L’analisi dei differenti risultati ottenuti studiando queste particolari leghe (a-SiOx e a-SiCy) ha permesso di concludere che solo con una bassa percentuale di ossigeno o carbonio, i.e. < 3.5 %, è possibile migliorare la risposta termica dello specifico layer, ritardando i fenomeni di degradazione di circa 50°C.

Abstract
Tipologia del documento
Tesi di laurea (Laurea magistrale)
Autore della tesi
Palaferri, Daniele
Relatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Indirizzo
Curriculum C: Fisica della materia
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
amorphous silicon - SHJ solar cells - Hydrogen Effusion - Urbach Energy - Plasma Enhanced Chemical Vapour deposition - Fourier transform infrared spectroscopy - Spectroscopic Ellipsometry
Data di discussione della Tesi
18 Ottobre 2013
URI

Altri metadati

Statistica sui download

Gestione del documento: Visualizza il documento

^