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Abstract
L’obiettivo di questa tesi è progettare e implementare un setup per testare transistor al nitruro di gallio (GaN) in condizioni operative realistiche.
Nel primo capitolo si analizza la fisica dei semiconduttori con particolare riferimento al GaN, alle tecniche di fabbricazione e alle varie tipologie di transistori GaN. Nella seconda parte viene introdotta la scheda da utilizzare per i futuri Test con particolare attenzione alla comunicazione e alla trasmissione di dati tra scheda e PC di controllo. Questo sistema assume grande rilevanza in quanto sarà integrabile con futuri modelli della scheda (LoGaN). Infine, l’elaborato si conclude con l’analisi dei segnali dei vari componenti presenti nel setup, e con la discussione di diverse soluzioni che potranno essere apportate a future versioni della scheda LoGaN.
Abstract
L’obiettivo di questa tesi è progettare e implementare un setup per testare transistor al nitruro di gallio (GaN) in condizioni operative realistiche.
Nel primo capitolo si analizza la fisica dei semiconduttori con particolare riferimento al GaN, alle tecniche di fabbricazione e alle varie tipologie di transistori GaN. Nella seconda parte viene introdotta la scheda da utilizzare per i futuri Test con particolare attenzione alla comunicazione e alla trasmissione di dati tra scheda e PC di controllo. Questo sistema assume grande rilevanza in quanto sarà integrabile con futuri modelli della scheda (LoGaN). Infine, l’elaborato si conclude con l’analisi dei segnali dei vari componenti presenti nel setup, e con la discussione di diverse soluzioni che potranno essere apportate a future versioni della scheda LoGaN.
Tipologia del documento
Tesi di laurea
(Laurea magistrale)
Autore della tesi
Vanni Giorgianni, Alessandro
Relatore della tesi
Correlatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
GaN,power MOSFET,Setup,power elettronics
Data di discussione della Tesi
27 Settembre 2024
URI
Altri metadati
Tipologia del documento
Tesi di laurea
(NON SPECIFICATO)
Autore della tesi
Vanni Giorgianni, Alessandro
Relatore della tesi
Correlatore della tesi
Scuola
Corso di studio
Ordinamento Cds
DM270
Parole chiave
GaN,power MOSFET,Setup,power elettronics
Data di discussione della Tesi
27 Settembre 2024
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