First principles calculations of electronic properties of CsV3Sb5 kagome metal under doping

I metalli kagome sono una famiglia di materiali quantistici il cui studio ha suscitato molto interesse negli ultimi anni a causa delle proprietà dovute al loro reticolo composto da esagoni e triangoli, detto, appunto, reticolo kagome. Questo reticolo induce la presenza di singolarità di Van Hove nelle strutture a bande di tali materiali, interessanti in quanto correlate a forti interazioni elettroniche, con conseguente possibilità di stato superconduttivo. Lo scopo di questa tesi è, tramite calcoli a principi primi, studiare le proprietà elettroniche del metallo kagome CsV3Sb5 sotto effetto di drogaggio con stagno (Sn) e tellurio (Te). Si partirà quindi con la spiegazione della Density Functional Theory (DFT), in particolare arrivando alla formulazione di Kohn e Sham e come questa consenta di ottenere la struttura a bande del materiale studiato. Successivamente verrà presentato il programma VASP (Vienna Ab initio Simulation Package), utilizzato per implementare il problema. Infine saranno riportati i risultati ottenuti nell’esperienza, mostrando sia che quelli ottenuti per CsV3Sb5 non drogato sono compatibili con quelli di precedenti studi, sia come l’effetto del drogaggio influenzi le singolarità di Van Hove di interesse, riuscendo, con entrambi i tipi di drogaggio, per livelli di drogaggio superiori al 5%, a portare allo spostamento di alcune di queste oltre il livello di Fermi, promuovendo effetti dovuti alla forte interazione fra gli elettroni associati a queste singolarità.