Rivelatori diretti di raggi X basati su film sottili di [AgSePh]∞

Negli ultimi anni, la ricerca di nuovi materiali semiconduttori capaci di essere utilizzati nel campo della rivelazione di radiazione ionizzante ha portato allo sviluppo di rivelatori a film sottili di perovskiti, materiali organici ed ibridi. Proprio quest’ultima tipologia di materiale verrà indagata in questa tesi e, in particolare, verranno riportate le caratterizzazioni di rivelatori di Raggi X basati su film sottili di AgSePh. Verranno discusse diverse proprietà di questi dispositivi quali la resistenza alla radiazione, allo stress meccanico e la Limit of detection, sulla base delle quali verrà poi valutata la possibilità di impiego dei campioni analizzati