Transistor organici a effetto di campo (OFETs) come rivelatori di raggi X

Negli ultimi anni, i progressi della ricerca scientifica nell’ambito dell’elettronica organica stanno aprendo la strada verso la realizzazione di rivelatori di radiazioni ionizzanti con proprietà di enorme interesse applicativo: flessibilità, leggerezza, facilità di fabbricazione su ampie aree a basso costo, basso peso molecolare (compatibile col tessuto umano) e basso consumo energetico. Nell’ambito di questa tesi sono analizzate le prestazioni di rivelazione di raggi X di dieci transistor organici a effetto di campo (OFETs) a film sottile aventi come materiale semicondutture una nuova molecola derivata del TIPS-pentacene, appositamente sintetizzata all’Università del Kentacky. Di tali dispositivi vengono sia verificate le proprietà elettriche generali dei transistor a effetto di campo sia valutate le performance come rivelatori di raggi X tramite una caratterizzazione scelta in base alle condizioni più rilevanti e interessanti dal punto di vista applicativo.